Módulo amplificador de potência GaN de banda larga, classe AB

Este amplificador de potência GaN de banda larga e construção robusta, da Classe AB, abrange a gama de frequências de 20 MHz a 18 GHz. Com uma potência de saída de 5 W a 200 W e uma eficiência de 30% a 50%, está otimizado para radares, dispositivos de interferência eletrónica e aplicações avançadas de RF.

Arquitetura GaN de classe AB de alta eficiência
Ganho linear e planicidade excecionais
Proteção de circuitos integrada e monitorização por telemetria
Disposição robusta e compacta da interface SWaP

Categoria: Série de Módulos Etiquetas: Módulo GaN de banda larga, Módulo de RF de classe AB, Amplificador de potência de GaN, Amplificador de potência para aparelhos de interferência, Amplificador de RF para radar, Amplificador de potência de banda larga

Detalhes do produto

Características do produto

Os amplificadores de potência de banda larga são frequentemente utilizados em radares de várias bandas de frequência, dispositivos de interferência digitais e em todos os tipos de amplificadores de RF. Quando combinados com fontes digitais ou analógicas, podem proporcionar uma saída estável.

Projeto de GaN de classe AB
Largura de banda ampla instantânea
Impedância de entrada/saída de 50 ohms
Tamanho reduzido e peso leve
Elevada fiabilidade e robustez

Especificações principais

Nome do produto	Amplificador de potência de banda larga
Banda de frequência	20 MHz-1 GHz, 1 GHz-3 GHz, 3 GHz-6 GHz, 6 GHz-8 GHz, 8 GHz-10 GHz, 10 GHz-12 GHz, 6 Hz-18 GHz, 7 GHz-12 GHz
Potência de saída	5 W-200 W
Fonte de alimentação	CC 12-32 V
Temperatura de funcionamento	-20 ~ 85 ℃
Tensão do monitor de temperatura	Tensão de saída 0,75 V a 25 ℃ (1 ℃/0,01 V)
Potência de entrada	-2 ± 3 dBm (personalizável)
Potência máxima de entrada sem danos	5 dBm
Ganho de potência com potência de entrada de 0 dBm	(43-53) ± 3 dB
Nivelamento da ganho com potência de entrada de 0 dBm	±3 dB
Eficiência	30%-50%
Harmónicas de 1 a N com potência de saída de 100 W	10 dBc
Nível espúrio	60 dBc
VSWR de entrada	2.0
VSWR de saída	2.0
Conector de RF	Ficha fêmea MCX: Entrada de RF Ficha N fêmea: Saída de RF
Conector CC	Através do condensador com núcleo, macho: Alimentação (condensador de passagem) ou cabo
Arrefecimento	É necessário um dissipador de calor externo

Perguntas frequentes

P1: Quais são as principais vantagens de utilizar a tecnologia GaN Classe AB em vez das estruturas tradicionais LDMOS ou GaAs neste amplificador?: A1: O GaN (nitreto de gálio) proporciona tensões de ruptura significativamente mais elevadas, uma densidade de potência superior e uma excelente condutividade térmica. O funcionamento numa topologia de Classe AB equilibra o desempenho linear com uma elevada eficiência de conversão de potência bruta (30% a 50%), permitindo que este módulo ultracompacto mantenha larguras de banda instantâneas até 18 GHz sem comprometer a fiabilidade do hardware a longo prazo.
P2: De que forma a função integrada de monitorização da tensão em função da temperatura ajuda a prevenir o sobreaquecimento durante o funcionamento no terreno?: A2: O módulo incorpora um sensor de telemetria de temperatura interno que emite uma tensão analógica CC em tempo real através do circuito do condensador de passagem. Está calibrado com precisão para uma escala de 0,01 V/1 °C, apresentando uma leitura de 0,75 V a uma temperatura ambiente de referência de 25 °C. Os integradores de sistemas podem monitorizar esta linha de telemetria para modular automaticamente as ventoinhas de arrefecimento ou acionar medidas de segurança antes de se atingir o limite máximo de funcionamento de 85 °C.
P3: Que precauções operacionais devem ser tomadas no que diz respeito ao nível do sinal de entrada para evitar danos nos circuitos internos de RF?: A3: Este amplificador de potência de banda larga está otimizado para um nível de sinal de entrada nominal personalizável entre -2 e +3 dBm, de modo a atingir o seu ganho de potência nominal de 43–53 dB na saída. Embora a arquitetura interna apresente elevada robustez e possa suportar um pico de potência de entrada máximo absoluto de até +5 dBm sem sofrer danos permanentes, manter os sinais dentro dos limites nominais evita a compressão por sobrecarga.
P4: Por que razão este módulo de banda larga requer um dissipador de calor externo e quais são os requisitos de integração?: A4: A geração de até 200 W de potência de saída de RF bruta num formato compacto e leve, com uma gama versátil de tensões de entrada de 12–32 V CC, cria exigências elevadas em termos de dissipação térmica. Para manter uma uniformidade de ganho consistente e garantir que os componentes de junção internos não sofram tensão térmica, o módulo deve ser montado em contacto direto com um dissipador de calor externo de alta resistência ou com uma placa arrefecida a líquido, utilizando materiais de interface térmica (TIM) de alto desempenho.
P5: Este amplificador de banda larga suporta várias subbandas distintas? E que tipo de conectores são utilizados para as linhas de RF e CC?: A5: Sim, a matriz de circuitos subjacente suporta várias opções de subbandas padrão (tais como 20 MHz-1 GHz, 6-18 GHz e 7-12 GHz) para se adaptar a arquiteturas específicas de radar, comunicações ou dispositivos de interferência digital. Para garantir uma conectividade fiável em condições de vibração, o módulo utiliza uma interface fêmea MCX de alta frequência para a entrada de RF, um conector fêmea N robusto para uma saída de RF com alimentação estável e uma configuração resistente de condensador de passagem pelo núcleo (feedthrough) para a entrada de alimentação CC filtrada.