Module amplificateur de puissance GaN à large bande de classe AB

Cet amplificateur de puissance GaN robuste, de classe AB et à large bande, couvre une plage de fréquences allant de 20 MHz à 18 GHz. Offrant une puissance de sortie comprise entre 5 W et 200 W avec un rendement de 30% à 50%, il est optimisé pour les radars, les brouilleurs électroniques et les applications RF avancées.

Architecture GaN de classe AB à haut rendement
Gain linéaire et linéarité exceptionnels
Protection des circuits intégrée et surveillance par télémétrie
Conception d'interface SWaP robuste et compacte

Catégorie : Série de modules Mots-clés : Module GaN à large bande, Module RF de classe AB, Amplificateur de puissance au GaN, Amplificateur de puissance pour brouilleur, Amplificateur RF pour radar, Amplificateur de puissance à large bande

Détails du produit

Caractéristiques du produit

Les amplificateurs de puissance à large bande sont couramment utilisés dans les radars fonctionnant sur différentes bandes de fréquences, les brouilleurs numériques et tous les types d'amplificateurs RF. Associés à des sources numériques ou analogiques, ils permettent d'obtenir une sortie stable.

Conception GaN de classe AB
Bande passante large instantanée
Impédance d'entrée/sortie de 50 ohms
Petite taille et poids léger
Haute fiabilité et robustesse

Caractéristiques techniques principales

Nom du produit	Amplificateur de puissance à large bande
Bande de fréquences	20 MHz-1 GHz, 1 GHz-3 GHz, 3 GHz-6 GHz, 6 GHz-8 GHz, 8 GHz-10 GHz, 10 GHz-12 GHz, 6 Hz-18 GHz, 7 GHz-12 GHz
Puissance de sortie	5 W - 200 W
Alimentation électrique	12-32 V CC
Température de fonctionnement	-20 à 85 °C
Tension du capteur de température	Tension de sortie : 0,75 V à 25 °C (1 °C/0,01 V)
Puissance d'entrée	-2 ± 3 dBm (à personnaliser)
Puissance d'entrée maximale sans risque de dommage	5 dBm
Gain de puissance pour une puissance d'entrée de 0 dBm	(43-53) ± 3 dB
Linéarité du gain à une puissance d'entrée de 0 dBm	±3 dB
Efficacité	30%-50%
Harmoniques de l'1 à N pour une puissance de sortie de 100 W	10 dBc
Niveau parasite	60 dBc
ROS d'entrée	2.0
ROS de sortie	2.0
Connecteur RF	Connecteur femelle MCX : entrée RF N femelle : sortie RF
Connecteur CC	Via le condensateur central, connecteur mâle : alimentation (condensateur de traversée) ou câble
Refroidissement	Dissipateur thermique externe requis

FAQ

Q1 : Quels sont les principaux avantages de l'utilisation de la technologie GaN de classe AB par rapport aux structures LDMOS ou GaAs traditionnelles dans cet amplificateur ?: A1 : Le GaN (nitrure de gallium) offre des tensions de claquage nettement plus élevées, une densité de puissance supérieure et une excellente conductivité thermique. Le fonctionnement en topologie de classe AB permet d'équilibrer les performances linéaires et un rendement de conversion de puissance brut élevé (modèles 30% à 50%), ce qui permet à ce module ultra-compact de maintenir instantanément des bandes passantes larges allant jusqu'à 18 GHz sans compromettre la fiabilité à long terme du matériel.
Q2 : En quoi la fonction intégrée de surveillance de la température par tension contribue-t-elle à prévenir l'emballement thermique pendant le fonctionnement sur site ?: A2 : Le module intègre un capteur de télémétrie de température interne qui transmet une tension continue analogique en temps réel via le circuit du condensateur de traversée. Il est calibré avec précision selon un rapport de 0,01 V/1 °C, affichant une valeur de 0,75 V à une température ambiante de référence de 25 °C. Les intégrateurs système peuvent surveiller cette ligne de télémétrie pour moduler automatiquement les ventilateurs de refroidissement ou déclencher des mesures de sécurité avant que la limite maximale de fonctionnement de 85 °C ne soit atteinte.
Q3 : Quelles précautions d'utilisation faut-il prendre concernant le niveau du signal d'entrée pour éviter d'endommager les circuits RF internes ?: A3 : Cet amplificateur de puissance à large bande est optimisé pour une puissance d'entrée nominale personnalisable comprise entre -2 et +3 dBm afin d'atteindre son gain de puissance nominal de 43 à 53 dB en sortie. Bien que son architecture interne présente une grande robustesse et puisse supporter un pic de puissance d'entrée maximal absolu allant jusqu'à +5 dBm sans subir de dommages permanents, le fait de maintenir les signaux dans les limites nominales permet d'éviter la compression due à la surmodulation.
Q4 : Pourquoi ce module haut débit nécessite-t-il un dissipateur thermique externe, et quelles sont les exigences en matière d'intégration ?: A4 : La génération d’une puissance de sortie RF brute pouvant atteindre 200 W dans un boîtier compact et léger, alimenté par une tension d’entrée polyvalente comprise entre 12 et 32 V CC, impose des exigences élevées en matière de dissipation thermique. Afin de maintenir une linéarité de gain constante et de garantir que les composants de jonction internes ne subissent pas de contraintes thermiques, le module doit être monté à fleur d’un dissipateur thermique externe très résistant ou d’une plaque refroidie par liquide, à l’aide de matériaux d’interface thermique (TIM) haute performance.
Q5 : Cet amplificateur à large bande prend-il en charge plusieurs sous-bandes distinctes, et quels types de connecteurs sont utilisés pour les lignes RF et CC ?: A5 : Oui, la matrice de circuits sous-jacente prend en charge plusieurs options de sous-bandes standard (telles que 20 MHz-1 GHz, 6-18 GHz et 7-12 GHz) afin de s'adapter à des architectures spécifiques de radars, de systèmes de communication ou de brouilleurs numériques. Pour garantir une connectivité fiable en cas de vibrations, le module utilise une interface femelle MCX haute fréquence pour l'entrée RF, un connecteur femelle N robuste pour une sortie RF à alimentation stable, ainsi qu'une configuration de condensateurs traversants (feedthrough) résistante pour l'entrée d'alimentation CC filtrée.