Módulo amplificador de potencia de GaN de clase AB de banda ancha

Este robusto amplificador de potencia de GaN de clase AB y banda ancha cubre un rango de frecuencias de 20 MHz a 18 GHz. Con una potencia de salida de entre 5 W y 200 W y una eficiencia de 30%–50%, está optimizado para radares, dispositivos de interferencia electrónica y aplicaciones avanzadas de radiofrecuencia.

Arquitectura de GaN de clase AB de alta eficiencia
Ganancia lineal y planicidad excepcionales
Protección de circuitos integrada y supervisión por telemetría
Diseño de interfaz SWaP resistente y compacto

Detalles del producto

Características del producto

Los amplificadores de potencia de banda ancha se utilizan habitualmente en radares de diversas bandas de frecuencia, inhibidores digitales y todo tipo de amplificadores de radiofrecuencia. Cuando se combinan con fuentes digitales o analógicas, pueden proporcionar una salida estable.

Diseño de GaN de clase AB
Ancho de banda amplio e instantáneo
Impedancia de entrada/salida de 50 ohmios
Tamaño reducido y peso ligero
Alta fiabilidad y resistencia

Especificaciones principales

Nombre del producto	Amplificador de potencia de banda ancha
Banda de frecuencia	20 MHz-1 GHz, 1 GHz-3 GHz, 3 GHz-6 GHz, 6 GHz-8 GHz, 8 GHz-10 GHz, 10 GHz-12 GHz, 6 Hz-18 GHz, 7 GHz-12 GHz
Potencia de salida	5 W-200 W
Fuente de alimentación	12-32 V CC
Temperatura de funcionamiento	-20 ~ 85 ℃
Tensión del monitor de temperatura	Tensión de salida: 0,75 V a 25 ℃ (1 ℃/0,01 V)
Potencia de entrada	-2 ± 3 dBm (personalizable)
Potencia máxima de entrada sin que se produzcan daños	5 dBm
Ganancia de potencia con una potencia de entrada de 0 dBm	(43-53) ± 3 dB
Planicidad de ganancia con una potencia de entrada de 0 dBm	±3 dB
Eficiencia	30%-50%
Armónicos del 1 al N con una potencia de salida de 100 W	10 dBc
Nivel espurio	60 dBc
VSWR de entrada	2.0
VSWR de salida	2.0
Conector de RF	Conector hembra MCX: Entrada de RF Conector hembra N: Salida de RF
Conector de corriente continua	A través del condensador del núcleo, macho: alimentación (condensador de paso) o cable
Refrigeración	Se requiere un disipador térmico externo

Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuáles son las principales ventajas de utilizar la tecnología GaN de clase AB frente a las estructuras tradicionales LDMOS o GaAs en este amplificador?: A1: El GaN (nitruro de galio) ofrece tensiones de ruptura significativamente más altas, una densidad de potencia superior y una excelente conductividad térmica. El funcionamiento en una topología de clase AB equilibra el rendimiento lineal con una alta eficiencia de conversión de potencia bruta (de 30% a 50%), lo que permite a este módulo ultracompacto mantener anchos de banda instantáneos de hasta 18 GHz sin sacrificar la fiabilidad a largo plazo del hardware.
Pregunta 2: ¿Cómo contribuye la función integrada de control de tensión y temperatura a evitar el sobrecalentamiento durante el funcionamiento en campo?: A2: El módulo incorpora un sensor interno de telemetría de temperatura que emite una tensión analógica de CC en tiempo real a través del diseño del condensador de paso. Está calibrado con precisión para una escala de 0,01 V/1 °C, con una lectura de 0,75 V a una temperatura ambiente de referencia de 25 °C. Los integradores de sistemas pueden supervisar esta línea de telemetría para modular automáticamente los ventiladores de refrigeración o activar medidas de seguridad antes de alcanzar el límite máximo de funcionamiento de 85 °C.
Pregunta 3: ¿Qué precauciones operativas deben tomarse en relación con el nivel de la señal de entrada para evitar dañar los circuitos internos de RF?: A3: Este amplificador de potencia de banda ancha está optimizado para un nivel de señal de entrada nominal personalizable comprendido entre -2 y +3 dBm, con el fin de alcanzar su ganancia de potencia nominal de salida de 43–53 dB. Aunque la arquitectura interna presenta una gran robustez y puede soportar un pico de potencia de entrada máximo absoluto de hasta +5 dBm sin sufrir daños permanentes, mantener las señales dentro de los límites nominales evita la compresión por sobrecarga.
Pregunta 4: ¿Por qué este módulo de banda ancha necesita un disipador térmico externo y cuáles son los requisitos de integración?: A4: La generación de hasta 200 W de potencia de salida de RF bruta en un diseño compacto y ligero, con un rango de entrada de CC de 12 a 32 V, genera unas elevadas exigencias en cuanto a disipación térmica. Para mantener una uniformidad de ganancia constante y garantizar que los componentes de unión internos no sufran estrés térmico, el módulo debe montarse a ras contra un disipador térmico externo de alta resistencia o una placa refrigerada por líquido, utilizando materiales de interfaz térmica (TIM) de alto rendimiento.
Pregunta 5: ¿Es compatible este amplificador de banda ancha con varias subbandas distintas? ¿Y qué tipo de conectores se utilizan para las líneas de RF y CC?: R5: Sí, la matriz de circuitos subyacente admite varias opciones de subbandas estándar (como 20 MHz-1 GHz, 6-18 GHz y 7-12 GHz) para adaptarse a arquitecturas específicas de radares, comunicaciones o dispositivos de interferencia digital. Para garantizar una conectividad fiable en condiciones de vibración, el módulo utiliza una interfaz hembra MCX de alta frecuencia para la entrada de RF, un robusto conector hembra N para una salida de RF con alimentación estable y una configuración resistente de condensadores de paso (feedthrough) para la entrada de alimentación de CC filtrada.